Chấm Lượng Tử Bán Dẫn CdSe, CdTe, InP và CuInS2 Chế Tạo, Tính Chất Quang Và Ứng Dụng

Discussion in 'Kỹ Thuật Công Nghệ' started by admin, Jun 8, 2015.

  1. admin

    admin Thư Viện Sách Việt Staff Member Quản Trị Viên

    [​IMG]
    Chấm Lượng Tử Bán Dẫn CdSe, CdTe, InP và CuInS2 Chế Tạo, Tính Chất Quang Và Ứng Dụng
    NXB Khoa Học Tự Nhiên 2011
    Nguyễn Quang Liêm
    265 Trang
    Chương I - Chấm lượng tử bán dẫn, tính chất của chúng và phương pháp chế tạo
    Chương II - Công nghệ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdZnSe lõi, CdS hoặc ZnS vỏ
    Chương III - Công nghệ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn CdTe, CdSe và CdTe(Se)/CdS cấu trúc lõi, vỏ trong môi trường nước
    Chương IV - Công nghệ chế tạo chấm lượng tử InP và InP/ ZnS cấu trúc lõi/ vỏ
    Chương V - Công nghệ chế tạo chấm lượng tử CuInS2
    Chương VI - Vi hình thái, cấu trúc và tính chất quang của các chấm lượng tử
    Chương VII - Ứng dụng chấm lượng tử bán dẫn
    Phụ lục - Tài liệu tham khảo

    https://drive.google.com/drive/folders/1yLBzZ1rSQoNjmWeJTM6cEZ3WGQHg04L1
     

Share This Page